IPL60R1K5C6SATMA1

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IPL60R1K5C6SATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 600 V 3A(Tc) 26.6W(Tc) 8-ThinPak(5x6)


欧时:
Infineon MOSFET IPL60R1K5C6SATMA1


得捷:
MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 3A 5-Pin TPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R


IPL60R1K5C6SATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 26.6 W

针脚数 5

漏源极电阻 1.35 Ω

极性 N-CH

耗散功率 26.6 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 200pF @100VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 26.6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Thin-Pak

外形尺寸

封装 Thin-Pak

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IPL60R1K5C6SATMA1
型号: IPL60R1K5C6SATMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 V

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