

晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 V
表面贴装型 N 通道 600 V 3A(Tc) 26.6W(Tc) 8-ThinPak(5x6)
欧时:
Infineon MOSFET IPL60R1K5C6SATMA1
得捷:
MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 3A 5-Pin TPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
额定功率 26.6 W
针脚数 5
漏源极电阻 1.35 Ω
极性 N-CH
耗散功率 26.6 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 3A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 200pF @100VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 26.6W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Thin-Pak
封装 Thin-Pak
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅