N沟道 55V 28A
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
得捷:
IRLR2705 - 12V-300V N-CHANNEL PO
立创商城:
N沟道 55V 28A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 28A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 0.04Ohm; ID 28A; D-Pak TO-252AA; PD 68W; -55de
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 28A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
额定电压DC 55.0 V
额定电流 28.0 A
漏源极电阻 0.065 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 68 W
产品系列 IRLR2705
输入电容 880pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 880pF @25VVds
额定功率Max 68 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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