N沟道 20V 8.7A
**N-Channel Power MOSFET 8A to 12A, Infineon**
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
得捷:
HEXFET POWER MOSFET
立创商城:
N沟道 20V 8.7A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 8.7A 8-Pin SOIC Tube
Allied Electronics:
IRF7401PBF N-channel MOSFET Transistor, 8.7 A, 20 V, 8-Pin SOIC
Jameco:
Transistor MOSFET N Channel 20 Volt 8.7 Amp 8-Pin SOIC
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 8.7A 8-Pin SOIC Tube
额定电压DC 20.0 V
额定电流 8.70 A
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7401
阈值电压 0.7 V
输入电容 1600pF @15V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 8.70 A
上升时间 72 ns
输入电容Ciss 1600pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 92 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF7401PBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STS6NF20V 意法半导体 | 功能相似 | IRF7401PBF和STS6NF20V的区别 |
NDS8425 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRF7401PBF和NDS8425的区别 |
SI4426DY-T1-E3 威世 | 功能相似 | IRF7401PBF和SI4426DY-T1-E3的区别 |