Infineon OptiMOS T2 系列 Si P沟道 MOSFET IPD70P04P4L08ATMA1, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
OptiMOS™ T2 功率 MOSFET
Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET ，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
AEC 合格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
针脚数 3
漏源极电阻 0.0064 Ω
极性 P-CH
耗散功率 75 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 70A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 5430pF @25VVds
下降时间 41 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3-313
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3-313
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump, High-Side MOSFETs for motor bridges half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors
RoHS标准
含铅标准 无铅