N沟道 60V 90A
表面贴装型 N 通道 60 V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3-11
得捷:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
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N沟道 60V 90A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin TO-252 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31 / N-Channel 60 V 90A Tc 79W Tc Surface Mount PG-TO252-3-11
极性 N-CH
耗散功率 79W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 5680pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 79W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Single-ended motors, Lighting, Valves control, Solenoids control
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD90N06S4L06ATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD90N06S4L06ATMA2和IPD90N06S4L06ATMA1的区别 |