Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8Pin SOIC T/R
**Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon**
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
DeviceMart:
MOSFET N+P 20V 5.3A 8-SOIC
额定电流 6.60 A
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
产品系列 IRF7317
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 6.60 A
热阻 62.5 K/W
输入电容Ciss 900pF @15VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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