IKD03N60RFATMA1概述
IKD03N60RFATMA1 编带
IGBT 沟槽型场截止 600 V 6.5 A 53.6 W 表面贴装型 PG-TO252-3
得捷:
IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
立创商城:
IKD03N60RFATMA1
欧时:
Infineon IKD03N60RFATMA1
贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 3-Pin TO-252 T/R
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
IKD03N60RFATMA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 53.6 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 31 ns
额定功率Max 53.6 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 53600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Hard switching topologies up to 1.0kW, General purpose inverters
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IKD03N60RFATMA1