IRFR420BTM

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IRFR420BTM中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 2.60 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.30 A

输入电容Ciss 610pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 41W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFR420BTM
型号: IRFR420BTM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3Pin2+Tab DPAK T/R
替代型号IRFR420BTM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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