Trans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3Pin2+Tab DPAK T/R
**N-Channel Power MOSFET 8A to 12A, Infineon**
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
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Trans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
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Trans MOSFET N-CH 200V 9.4A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
额定电压DC 200 V
额定电流 9.40 A
漏源极电阻 0.38 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 86 W
产品系列 IRFR9N20D
输入电容 560pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 9.40 A
上升时间 16.0 ns
输入电容Ciss 560pF @25VVds
额定功率Max 86 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFR9N20DPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STD7NS20T4 意法半导体 | 功能相似 | IRFR9N20DPBF和STD7NS20T4的区别 |