Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8Pin SOIC T/R
**Benefits:**
* Advanced Process Technology Dual N-Channel MOSFET
* Ultra Low On-Resistance
* 175°C Operating Temperature
* Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
* Lead-Free
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
Allied Electronics:
55V DUAL N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A SO-8 PACKAGE
TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2W; SO8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
额定功率 2 W
漏源极电阻 0.065 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2.4 W
产品系列 IRF7341Q
输入电容 780pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 4.70 A
热阻 62.5℃/W RθJA
输入电容Ciss 780pF @25VVds
额定功率Max 2.4 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free