IRF634B_FP001参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF634B_FP001中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 450 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 74 W

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 8.10 A

上升时间 75 ns

输入电容Ciss 1000pF @25VVds

下降时间 65 ns

耗散功率Max 74W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRF634B_FP001

型号： IRF634B_FP001

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3Pin3+Tab TO-220 Tube

替代型号IRF634B_FP001