IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
I OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
LV POWER MOS
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS031N03LGAKMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 90A Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin TO-251 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 90A; 94W; IPAK SL
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 90A Tube
额定功率 94 W
极性 N-CH
耗散功率 94 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 4000pF @15VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 94 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.39 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Mainboard, Onboard charger, VRD/VRM
RoHS标准
含铅标准 Lead Free