IRFR6215PBF

IRFR6215PBF图片1
IRFR6215PBF图片2
IRFR6215PBF图片3
IRFR6215PBF图片4
IRFR6215PBF图片5
IRFR6215PBF图片6
IRFR6215PBF图片7
IRFR6215PBF图片8
IRFR6215PBF图片9
IRFR6215PBF图片10
IRFR6215PBF图片11
IRFR6215PBF图片12
IRFR6215PBF图片13
IRFR6215PBF概述

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -150V; RDSON 0.295Ω; ID -13A; D-Pak TO-252AA; PD 110W

**P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


得捷:
PFET, 13A ID, 150V, 0.295OHM,


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -150V; RDSON 0.295Ohm; ID -13A; D-Pak TO-252AA; PD 110W


Verical:
Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


DeviceMart:
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK


IRFR6215PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -150 V

额定电流 -13.0 A

漏源极电阻 0.58 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 110 W

产品系列 IRFR6215

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 -150 V

连续漏极电流Ids -13.0 A

上升时间 36.0 ns

输入电容Ciss 860pF @25VVds

额定功率Max 110 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IRFR6215PBF
型号: IRFR6215PBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -150V; RDSON 0.295Ω; ID -13A; D-Pak TO-252AA; PD 110W

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台