IPP057N06N3GHKSA1

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IPP057N06N3GHKSA1概述

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP057N06N3GHKSA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP057N06N3GHKSA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


IPP057N06N3GHKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 80A

输入电容Ciss 5000pF @30VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: IPP057N06N3GHKSA1
描述:Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP057N06N3GHKSA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

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