IPG20N06S2L50AATMA1概述
2个N沟道 55V 20A
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 55V 20A 51W 表面贴装，可润湿侧翼 PG-TDSON-8-10
立创商城:
2个N沟道 55V 20A
得捷:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
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MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive T/R
IPG20N06S2L50AATMA1中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 50 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 51 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 560pF @25VVds
额定功率Max 51 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 51000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8-10
外形尺寸
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8-10
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 ABS Valves, LED and Body lighting, Solenoid control, Load Switches, Direct Fuel Injection
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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