P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
**HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Allied Electronics:
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDSON 0.117Ohm; ID -23A; D2Pak; PD 110W; VGS +/-20V
Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
通道数 1
漏源极电阻 117 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 3.8 W
产品系列 IRF9540NS
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids -23.0 A
输入电容Ciss 1450pF @25VVds
额定功率Max 3.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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