Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3Pin2+Tab DPAK Tube
**N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Allied Electronics:
IRFR13N20DPBF N-channel MOSFET Transistor, 13 A, 200 V, 3-Pin DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
额定电压DC 200 V
额定电流 13.0 A
漏源极电阻 0.235 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
产品系列 IRFR13N20D
输入电容 830pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 27.0 ns
输入电容Ciss 830pF @25VVds
额定功率Max 110 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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