IPP60R950C6XKSA1概述
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R950C6XKSA1, 4.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R950C6XKSA1, 4.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 37W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
IPP60R950C6XKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 37 W
极性 N-Channel
耗散功率 37 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 4.4A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 280pF @100VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 37000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买IPP60R950C6XKSA1
型号： IPP60R950C6XKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R950C6XKSA1, 4.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装