Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N03LGATMA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N03LGATMA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
得捷:
MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# INFINEON IPB042N03LGATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 30 V, 3.5 mohm, 10 V, 1 V
额定功率 79 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0035 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 79 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 70A
上升时间 5.6 ns
输入电容Ciss 2900pF @15VVds
下降时间 4.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 79 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.572 mm
封装 TO-263
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 VRD/VRM, Mainboard, Onboard charger
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17