IRFL4310TR

IRFL4310TR N沟道MOSFET 2.2A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 FL4310 低栅极电荷/极低的RDS/高功率和电流绫能力

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.20Ω/Ohm @1.6A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 2.0-4.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2.1W Description & Applications| Surface Mount Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Ease of Paralleling Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Lead-Free 描述与应用| 表面贴装 动态dv/ dt额定值 快速切换 易于并联 先进的工艺技术 超低导通电阻无铅

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R