IPD60R600E6BTMA1

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IPD60R600E6BTMA1概述

Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。


欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET


立创商城:
IPD60R600E6BTMA1


贸泽:
MOSFET Order Manufacturer Part Number IPD60R600E6


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD60R600E6BTMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 63 W

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 7.3A

输入电容Ciss 440pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD60R600E6BTMA1
型号: IPD60R600E6BTMA1
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

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