MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 36Milliohms; ID 32A; D-Pak TO-252AA; -55deg
**N-Channel Power MOSFET 30A to 39A, Infineon**
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
得捷:
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
额定电压DC 100 V
额定电流 32.0 A
漏源极电阻 44 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 130 W
产品系列 IRFR3411
输入电容 1960pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 35.0 ns
输入电容Ciss 1960pF @25VVds
额定功率Max 130 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.26 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFR3411PBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STD15NF10T4 意法半导体 | 功能相似 | IRFR3411PBF和STD15NF10T4的区别 |
STD25NF10LT4 意法半导体 | 功能相似 | IRFR3411PBF和STD25NF10LT4的区别 |
STD25NF10T4 意法半导体 | 功能相似 | IRFR3411PBF和STD25NF10T4的区别 |