IPB054N06N3GATMA1

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IPB054N06N3GATMA1概述

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB054N06N3GATMA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB054N06N3GATMA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


得捷:
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK


立创商城:
N沟道 60V 80A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin TO-263 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IPB054N06N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 115 W

极性 N-Channel

耗散功率 115 W

输入电容 5000 pF

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 68 ns

输入电容Ciss 5000pF @30VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 11.05 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Synchronous rectification, Or-ing switches, Isolated DC-DC converters

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB054N06N3GATMA1
型号: IPB054N06N3GATMA1
描述:Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB054N06N3GATMA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
替代型号IPB054N06N3GATMA1
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