INFINEON IPD60R600P6BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET
**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。
欧时:
Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R600P6BTMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin TO-252 T/R
针脚数 3
漏源极电阻 0.54 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 63 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 7.3A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 557pF @100VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
制造应用 Power Management, Industrial, PFC stages for, , telecom rectifier,, PWM stages TTF, LLC for, 通信与网络, Communications & Networking, 工业, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD60R600P6BTMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD60R600CP 英飞凌 | 类似代替 | IPD60R600P6BTMA1和IPD60R600CP的区别 |
IPD60R600P6 英飞凌 | 功能相似 | IPD60R600P6BTMA1和IPD60R600P6的区别 |