IKD03N60RFAATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IKD03N60RFAATMA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R

IGBT Trench 600V 5A 53.6W Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
IGBT 600V 5A 53.6W TO252-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

IKD03N60RFAATMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 53600 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 31 ns

额定功率Max 53.6 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 53600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IKD03N60RFAATMA1

型号： IKD03N60RFAATMA1

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 5A 53600mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R