N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET,30V,Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
欧时:
### N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PQFN T/R
TME:
Transistor: unipolar, N-MOSFET; 30V; 20A; 3.1W; PQFN5X6
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PQFN T/R
额定功率 3.1 W
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
产品系列 IRFH7936
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
输入电容Ciss 2360pF @15VVds
额定功率Max 3.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PQFN 5x6
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 0.95 mm
封装 PQFN 5x6
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IRFH7936TR2PBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STL65N3LLH5 意法半导体 | 功能相似 | IRFH7936TR2PBF和STL65N3LLH5的区别 |