IRFH7936TR2PBF

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IRFH7936TR2PBF概述

N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET,30V,Infineon

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


欧时:
### N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PQFN T/R


TME:
Transistor: unipolar, N-MOSFET; 30V; 20A; 3.1W; PQFN5X6


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PQFN T/R


IRFH7936TR2PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 3.1 W

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

产品系列 IRFH7936

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 24.0 A

输入电容Ciss 2360pF @15VVds

额定功率Max 3.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PQFN 5x6

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 0.95 mm

封装 PQFN 5x6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFH7936TR2PBF
型号: IRFH7936TR2PBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRFH7936TR2PBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRFH7936TR2PBF

International Rectifier 国际整流器

当前型号

当前型号

STL65N3LLH5

意法半导体

功能相似

IRFH7936TR2PBF和STL65N3LLH5的区别

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