IPP139N08N3GXKSA1概述
INFINEON IPP139N08N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 80 V, 11.8 mohm, 10 V, 2.8 V
The IPP139N08N3 G is a N-channel, normal level OptiMOS™ 3 Power Transistor ideal for high frequency switching and an optimized technology for DC-to-DC converters.
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- 100% Avalanche tested
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- Qualified according to JEDEC for target application
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- Halogen-free, Green device
得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET
立创商城:
IPP139N08N3GXKSA1
e络盟:
INFINEON IPP139N08N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 80 V, 11.8 mohm, 10 V, 2.8 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
IPP139N08N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0118 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 79 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 45A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1300pF @40VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 79000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPP139N08N3GXKSA1
型号： IPP139N08N3GXKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPP139N08N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 80 V, 11.8 mohm, 10 V, 2.8 V