Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R950C6ATMA1, 4.4 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.4A D2PAK
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R950C6ATMA1, 4.4 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 37W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
额定功率 37 W
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 37 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 4.4A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 280pF @100VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 37 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC