IPG20N04S409ATMA1

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IPG20N04S409ATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 40 V, 0.0079 ohm, 10 V, 3 V

* Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode * AEC Q101 qualified * MSL1 up to 260°C peak reflow * 175°C operating temperature * Green Product RoHS compliant * 100% Avalanche tested


欧时:
Infineon IPG20N04S409ATMA1


立创商城:
IPG20N04S409ATMA1


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 40 V, 0.0079 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


IPG20N04S409ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0079 Ω

极性 N-CH

耗散功率 54 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 1730pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 54000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDSON-8

外形尺寸

封装 TDSON-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Body applications, Small loads control switching

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPG20N04S409ATMA1
型号: IPG20N04S409ATMA1
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 40 V, 0.0079 ohm, 10 V, 3 V

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