IKD06N60RFATMA1概述
单晶体管, IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252, 3 引脚
IGBT 沟槽型场截止 表面贴装型 PG-TO252-3
得捷:
IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
欧时:
Infineon IKD06N60RFATMA1
立创商城:
沟槽场截止 100W 600V 12A
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A Automotive 3-Pin2+Tab TO-252
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
IKD06N60RFATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
耗散功率 100 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 48 ns
额定功率Max 100 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Hard switching topologies up to 1.0kW, General purpose inverters
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IKD06N60RFATMA1