IPG20N06S2L35AATMA1概述
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 55V 20A（Tc） 65W 表面贴装型 PG-TDSON-8-10
欧时:
INFINEON MOSFET IPG20N06S2L35AATMA1
得捷:
MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 20 A, 0.028 ohm, TDSON, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
IPG20N06S2L35AATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 N-CH
耗散功率 65 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 790pF @25VVds
额定功率Max 65 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 65000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8-10
外形尺寸
封装 PG-TDSON-8-10
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Load Switches, Solenoid control, Direct Fuel Injection, ABS Valves, LED and Body lighting
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
在线购买IPG20N06S2L35AATMA1
型号： IPG20N06S2L35AATMA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V