IRFR13N20DTRPBF

IRFR13N20DTRPBF图片1
IRFR13N20DTRPBF图片2
IRFR13N20DTRPBF图片3
IRFR13N20DTRPBF图片4
IRFR13N20DTRPBF图片5
IRFR13N20DTRPBF图片6
IRFR13N20DTRPBF图片7
IRFR13N20DTRPBF图片8
IRFR13N20DTRPBF图片9
IRFR13N20DTRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 13.0 A

漏源极电阻 0.235 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

产品系列 IRFR13N20D

输入电容 830pF @25V

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 13.0 A

上升时间 27.0 ns

输入电容Ciss 830pF @25VVds

额定功率Max 110 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFR13N20DTRPBF
型号: IRFR13N20DTRPBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:200V,13A,单N沟道功率MOSFET
替代型号IRFR13N20DTRPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRFR13N20DTRPBF

International Rectifier 国际整流器

当前型号

当前型号

STD20NF20

意法半导体

功能相似

IRFR13N20DTRPBF和STD20NF20的区别

STD17NF25

意法半导体

功能相似

IRFR13N20DTRPBF和STD17NF25的区别

STD7NS20T4

意法半导体

功能相似

IRFR13N20DTRPBF和STD7NS20T4的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台