IRF644B_FP001中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 280 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 139 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 -30.0 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
额定功率Max 139 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 139W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IRF644B_FP001
型号： IRF644B_FP001
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IRF644B_FP001 场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 14A
替代型号IRF644B_FP001
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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