IPD60R750E6BTMA1

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IPD60R750E6BTMA1概述

Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R750E6BTMA1, 5.7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。


得捷:
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3


欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R750E6BTMA1, 5.7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD60R750E6BTMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 5.7A

输入电容Ciss 373pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD60R750E6BTMA1
型号: IPD60R750E6BTMA1
描述:Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R750E6BTMA1, 5.7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

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