IPG20N06S4L14ATMA1概述
Infineon OptiMOS T2 系列 双 Si N沟道 MOSFET IPG20N06S4L14ATMA1, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
OptiMOS™ T2 功率 MOSFET
Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET ，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
AEC 合格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
IPG20N06S4L14ATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 2890pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8-4
外形尺寸
长度 5.15 mm
宽度 6.15 mm
高度 1 mm
封装 PG-TDSON-8-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPG20N06S4L14ATMA1
型号： IPG20N06S4L14ATMA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon OptiMOS T2 系列 双 Si N沟道 MOSFET IPG20N06S4L14ATMA1, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装