N沟道,55V,42A,27mΩ@10V
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 42A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 42A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
额定电压DC 55.0 V
额定电流 42.0 A
漏源极电阻 0.04 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
产品系列 IRLR2905
输入电容 1700pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 36.0 A, 42.0 A
上升时间 84.0 ns
输入电容Ciss 1700pF @25VVds
额定功率Max 110 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLR2905TRPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STD20NF06LT4 意法半导体 | 功能相似 | IRLR2905TRPBF和STD20NF06LT4的区别 |
STD30NF06LT4 意法半导体 | 功能相似 | IRLR2905TRPBF和STD30NF06LT4的区别 |
STD15NF10T4 意法半导体 | 功能相似 | IRLR2905TRPBF和STD15NF10T4的区别 |