IKD04N60RAATMA1

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IKD04N60RAATMA1概述

IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3


得捷:
IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3


贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin TO-252 T/R


IKD04N60RAATMA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 75 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 43 ns

额定功率Max 75 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IKD04N60RAATMA1
型号: IKD04N60RAATMA1
描述:IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

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