IPB042N03LG

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IPB042N03LG概述

IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


欧时:
### IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin2+Tab D2PAK


Win Source:
IPB042N03LG


IPB042N03LG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 79.0 W

输入电容Ciss 2900pF @15VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 79 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.572 mm

封装 TO-263-3

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPB042N03LG
型号: IPB042N03LG
制造商: Infineon 英飞凌
描述:IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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