Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3Pin3+Tab IPAK Tube
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
额定电压DC 200 V
额定电流 13.0 A
漏源极电阻 0.235 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
产品系列 IRFU13N20D
输入电容 830pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 27.0 ns
输入电容Ciss 830pF @25VVds
额定功率Max 110 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free