MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -40V; RDSON 0.015Ω; ID -10.5A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-20V
**P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-Pin SOIC Tube
Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-Pin SOIC Tube
DeviceMart:
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC
通道数 1
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7240
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids -10.5 A
输入电容Ciss 9250pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF7240PBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS6375 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRF7240PBF和FDS6375的区别 |
FDS6675BZ 飞兆/仙童 | 功能相似 | IRF7240PBF和FDS6675BZ的区别 |
STS5PF30L 意法半导体 | 功能相似 | IRF7240PBF和STS5PF30L的区别 |