IPB034N03LGATMA1

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IPB034N03LGATMA1概述

INFINEON  IPB034N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V

I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB034N03LGATMA1, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK


立创商城:
N沟道 30V 80A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin TO-263 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 94W; PG-TO263-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IPB034N03LGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 94 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0028 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 94 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 6.4 ns

输入电容Ciss 4000pF @15VVds

下降时间 5.4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 94 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 发光二极管照明, VRD/VRM, LED Lighting, 电源管理, 便携式器材, Consumer Electronics, Onboard charger, Computers & Computer Peripherals, Mainboard, Motor Drive & Control, Power Management, 电机驱动与控制, 消费电子产品, Portable Devices, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPB034N03LGATMA1
型号: IPB034N03LGATMA1
描述:INFINEON  IPB034N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V
替代型号IPB034N03LGATMA1
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