INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1010NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 85A TO-220AB 新
**N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
e络盟:
场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 85A TO-220AB
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
额定电压DC 55.0 V
额定电流 85 A
通道数 1
漏源极电阻 11 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 180 W
产品系列 IRF1010N
输入电容 3210pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 85.0 A
上升时间 76 ns
输入电容Ciss 3210pF @25VVds
额定功率Max 180 W
下降时间 48 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.4 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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