IRFR1018EPBF

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IRFR1018EPBF概述

Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin2+Tab DPAK Tube

N-Channel 60V 56A Tc 110W Tc Surface Mount D-PAK TO-252AA


得捷:
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK


IRFR1018EPBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 7.1 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

产品系列 IRFR1018E

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 79.0 A

输入电容Ciss 2290pF @50VVds

额定功率Max 110 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

数据手册

在线购买IRFR1018EPBF
型号: IRFR1018EPBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin2+Tab DPAK Tube
替代型号IRFR1018EPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRFR1018EPBF

International Rectifier 国际整流器

当前型号

当前型号

STD70N6F3

意法半导体

功能相似

IRFR1018EPBF和STD70N6F3的区别

STD60N55F3

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