IRF5305STRLPBF概述
P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V
**HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IRF5305STRLPBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -55.0 V
额定电流 -31.0 A
漏源极电阻 0.06 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.8 W
产品系列 IRF5305S
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids -31.0 A, 310 mA
上升时间 66.0 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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