P沟道,-100V,-13A,205mΩ@-10V
**HEXFET® P-Channel Power MOSFETs, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single P-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Allied Electronics:
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDSON 0.205Ohm; ID -13A; I-Pak TO-251AA; PD 66W
Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 13A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
DeviceMart:
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
额定电压DC -100 V
额定电流 -13.0 A
通道数 1
漏源极电阻 0.205 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 66 W
产品系列 IRFU5410
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 -100 V
连续漏极电流Ids -13.0 A
上升时间 58.0 ns
输入电容Ciss 760pF @25VVds
额定功率Max 66 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
脚长度 9.65 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
ECCN代码 EAR99