INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3205SPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 110A, D2-PAK 新
**N-Channel Power MOSFET over 100A, Infineon**
The Infineon range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
e络盟:
场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 110A, D2-PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
额定电压DC 55.0 V
额定电流 110 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
产品系列 IRF3205S
阈值电压 4 V
输入电容 3247pF @25V
栅电荷 146 nC
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 110 A
上升时间 101 ns
输入电容Ciss 3247pF @25VVds
额定功率Max 200 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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