100V,33A,N沟道功率MOSFET
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
e络盟:
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF540NSTRLPBF 场效应管, MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
100V,33A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
额定电压DC 100 V
额定电流 33.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.044 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 130 W
产品系列 IRF540NS
阈值电压 4 V
输入电容 1960pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 33.0 A
上升时间 35.0 ns
输入电容Ciss 1960pF @25VVds
额定功率Max 130 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF540NSTRLPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF540NSPBF 国际整流器 | 完全替代 | IRF540NSTRLPBF和IRF540NSPBF的区别 |
STB30NF10T4 意法半导体 | 功能相似 | IRF540NSTRLPBF和STB30NF10T4的区别 |