晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 40 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.7 V
Summary of Features:
Benefits:
针脚数 8
漏源极电阻 0.0065 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 65 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 3980pF @25VVds
额定功率Max 65 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 65000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8-4
封装 PG-TDSON-8-4
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Small loads control switching, Body applications
RoHS标准
含铅标准 Lead Free