MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 36Milliohms; ID 32A; D-Pak TO-252AA; -55deg
**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**
HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.
得捷:
IRFR3411 - 12V-300V N-CHANNEL PO
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 36Milliohms; ID 32A; D-Pak TO-252AA; -55deg
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
漏源极电阻 44 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 130 W
输入电容 1960pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
输入电容Ciss 1960pF @25VVds
额定功率Max 130 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IRFR3411TRPBF International Rectifier 国际整流器 | 当前型号 | 当前型号 |
STD15NF10T4 意法半导体 | 功能相似 | IRFR3411TRPBF和STD15NF10T4的区别 |
STD25NF10LT4 意法半导体 | 功能相似 | IRFR3411TRPBF和STD25NF10LT4的区别 |
STD25NF10T4 意法半导体 | 功能相似 | IRFR3411TRPBF和STD25NF10T4的区别 |