IRF640NSTRRPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF640NSTRRPBF概述

Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

N-Channel 200V 18A Tc 150W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
IRF640 - HEXFET POWER MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

IRF640NSTRRPBF中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 18.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

产品系列 IRF640NS

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 110 A, 18.0 A

上升时间 19.0 ns

输入电容Ciss 1160pF @25VVds

额定功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF640NSTRRPBF

型号： IRF640NSTRRPBF

制造商： International Rectifier 国际整流器

描述：Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

替代型号IRF640NSTRRPBF

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF640NSTRRPBF International Rectifier 国际整流器	当前型号	当前型号
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